GI01N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GI01N60
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 238 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2004年6月1日

修改日期： 2005/ 01 / 28B

01N60

描述

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

1.6A

对G

01N60提供设计师与快速切换的最佳组合。

通孔版（TO- 251 ）是可用于低轮廓的应用和适合于交流/直流转换器。

*动态的dv / dt额定值

*简单的驱动要求

*额定重复性雪崩

*快速切换

特点

包装尺寸

TO-251

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

7.80

2.30 REF 。

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.45

0.60

0.90

1.50

5.40

5.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

600

±20

1.6

0.31

1.6

0.5

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

3.2

110

单位

: /W

01N60

页： 1/5

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