GI1182 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GI1182
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内容描述：	PNP硅外延平面晶体管 [PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 280 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

公司

11 8 2

描述

对G

1182是专为中等功率的放大器应用。

颁发日期： 2005年10月6日

修订日期：

P NP伊犁河有限公司ñ EP ITAX我铝塑ANAR牛逼RANSI STOR

特点

＆放大器;

集电极饱和电压： V

(sat)=-0.5V(Typ.)

低

包装尺寸

TO-251

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

7.80

2.30 REF 。

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.45

0.60

0.90

1.50

5.40

5.80

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲， PW = 100毫秒）

总功率耗散（T

=25 : )

符号

TSTG

CBO

首席执行官

EBO

评级

+150

-55~+150

-40

-32

-5

-2

-3

单位

电气特性

（ TA = 25 ：

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

分钟。

-40

-32

-5

典型值。

-500

100

中，除非另有说明）

马克斯。

单位

测试条件

= -50uA ，我

= -1mA ，我

= -50uA ，我

-1

= -20V ，我

-1

= -4V ，我

-800

= -2A ，我

=-200mA

390

= -3V ，我

=-500mA

兆赫

= -5V ，我

= -500mA ， F = 100MHz的

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

*脉冲测试：脉冲宽度

380 S，占空比

分类h及

秩

范围

82 ~ 180

120 ~ 270

180 ~ 390

1182

页次： 1/2

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