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GI122 参数 Datasheet PDF下载

GI122图片预览
型号: GI122
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 161 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期:二○○四年十二月十五日
修改日期: 2005/12 / 23B
G
I
122
NP否E PITAXI AL P L ANAR牛逼RANSI STOR
描述
在GI122设计用于一般用途和低速开关应用中使用。
特点
&放大器;
直流电流增益
&放大器;
内建的
在E-C阻尼二极管
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
( TC = 25 :
)
符号
Tj
TSTG
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
100
100
5
5
20
单位
:
:
V
V
V
A
W
电气特性
(等级25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*
h
FE
1
*
h
FE
2
COB
分钟。
100
100
5
-
-
-
-
-
-
-
1
1
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
环境温度,除非另有规定)
马克斯。
-
-
-
10
10
2
2
4
4
2.5
-
-
200
单位
V
V
V
A
A
mA
V
V
V
V
K
K
pF
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 50V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 3A ,我
B
=16mA
I
C
= 5A ,我
B
=20mA
I
C
= 5A ,我
B
=50mA
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CE
= 3V ,我
C
=500mA
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比2 %
GI122
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