GI20N03 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GI20N03
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 241 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/06/30

修订日期：

20N03

描述

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

30V

52m

20A

对G

20N03提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

通孔版

(TO-251)

可用于低轮廓的应用和适合于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

*动态的dv / dt额定值

*额定重复性雪崩

*简单的驱动要求

*快速切换

特点

包装尺寸

TO-251

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

7.80

2.30 REF 。

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.45

0.60

0.90

1.50

5.40

5.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

±20

0.25

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

4.0

110

单位

: /W

20N03

页： 1/5

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