无铅电镀产品
颁发日期： 2006年2月15日
修订日期：
G
I
80LS02
描述
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
8m
75A
对G
I
80LS02采用先进的设计和工艺，以实现低栅极电荷，低导通电阻和快速
开关性能。
通孔版（TO- 251 ）是可用于低轮廓的应用和适合于低电压
应用，如DC / DC转换器。
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
*开关速度快
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ ， TSTG
评级
25
±20
75
52
250
96
0.75
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
价值
1.4
110
单位
:
/W
: /W
G
I
80LS02
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GTM [ GTM CORPORATION ]
