GI9435 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GI9435
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 224 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年2月23日

修订日期：

9435

描述

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-30V

50m

-20A

对G

9435利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

在TO- 251封装普遍用于商业，工业应用。

*简单的驱动要求

*低栅极电荷

*快速切换

特点

包装尺寸

TO-251

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

7.80

2.30 REF 。

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.45

0.60

0.90

1.50

5.40

5.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

-30

±20

-20

-13

-72

0.25

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

价值

4.0

110

单位

: /W

9435

页次： 1/4

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