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GI9960 参数 Datasheet PDF下载

GI9960图片预览
型号: GI9960
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 236 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2004年12月21日
修订日期:
G
I
9960
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
40V
16m
42A
描述
该GI9960为设计者提供了快速开关,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
*快速切换
特点
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ , TSTG
评级
40
±20
42
26
195
45
-55 ~ +150
0.36
单位
V
V
A
A
A
W
:
W/ :
总功耗
工作结存储温度范围
线性降额因子
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
2.8
110
单位
:
/W
: /W
G
I
9960
页次: 1/4