GJ01L60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GJ01L60
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 257 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/08/19

修订日期：

GJ01L60

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

描述

该GJ01L60 （ TO- 252 ）是普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和

适合的AC / DC转换器。

特点

*额定重复性雪崩

*简单的驱动要求

*开关速度快

*符合RoHS

包装尺寸

TO-252

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

2.40

3.00

2.30 REF 。

0.70

0.90

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.15

0.90

1.50

5.40

5.80

0.80

1.20

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

600

±30

0.8

0.232

0.5

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

价值

4.3

110

单位

: /W

GJ01L60

页次： 1/4

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