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GJ03N70 参数 Datasheet PDF下载

GJ03N70图片预览
型号: GJ03N70
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 218 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005/01/05
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
600
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
2.0
-
-
-
-
11.4
3.1
4.2
8.4
6
17.7
5.9
600
45
4
马克斯。
-
-
4.0
-
±1
100
500
4.0
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
uA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
GS
= ±30V
V
DS
=600V, V
GS
=0
V
DS
=480V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=1.6A
I
D
=3.3A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=3.3A
V
GS
=10V
R
G
=10
R
D
=91
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150 :
)
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
-
-
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
3
符号
V
SD
I
S
I
SM
1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.5
3.3
13.2
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 3.3A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
= V
G
=0V, V
S
=1.5V
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.凝视TJ = 25 : ,V
DD
= 50V ,L = 15MH ,R
G
=25 , I
AS
=3.3A.
3.脉冲宽度300US ,占空比2%。
GJ03N70
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