GJ1386 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GJ1386
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内容描述：	PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 159 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005年7月25日

修订日期：

GJ1386

描述

P NP EP ITAX我AL伊犁河有限公司NT· RANSI STOR

该GJ1386是专为低频应用。

特点

＆放大器;

（SAT） = -0.55V （典型值）。（I

=-4A/-0.1A)

低

包装尺寸

&Excellent直流电流增益特性

TO-252

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

2.40

3.00

2.30 REF 。

0.70

0.90

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.15

0.90

1.50

5.40

5.80

0.80

1.20

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

*集电极电流（脉冲）

总功耗

=25 : )

符号

TSTG

CBO

首席执行官

EBO

评级

+150

-55~+150

-30

-20

-6

-5

-10

单位

电气特性（Ta = 25 ：）

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

分钟。

-30

-20

-6

典型值。

120

马克斯。

-500

-1

580

单位

兆赫

测试条件

= -50uA ，我

= -1mA ，我

= -50uA ，我

= -20V ，我

= -5V ，我

= -4A ，我

=-0.1A

= -2V ，我

=-0.5A

= -6V ，我

= 50mA时F = 30MHz的

= -20V ，我

= 0中，f = 1MHz的

*脉冲测试：脉冲宽度

380 S，占空比

分类h及

秩

范围

82 - 180

120 - 270

180 - 390

370 - 580

GJ1386

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