GJ20P02 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GJ20P02
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 247 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005/12/05

修订日期：

电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

DSS

分钟。

-20

-0.5

典型值。

-0.03

13.5

2.1

1.6

1050

410

110

马克斯。

±100

-1

-25

单位

V/ :

测试条件

=0, I

=-250uA

参考25 ：我

=-1mA

, I

=-250uA

= -10V ，我

=-8A

= ±12V

=-20V, V

=-16V, V

= -4.5V ，我

=-8A

= -2.5V ，我

=-5A

=-8A

=-16V

=-4.5V

=-10V

=-8A

=-4.5V

=3.3

=1.25

=0V

=-16V

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ =

150 :

)

GS （ TH）

GSS

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

连续源电流（

体二极管

)

脉冲源电流（

体二极管

)

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

-1.2

-10

-50

单位

测试条件

= -10A ，V

= 0V ， TJ = 25 ：

=0V, V

=-1.2V

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

GJ20P02

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