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GJ3303 参数 Datasheet PDF下载

GJ3303图片预览
型号: GJ3303
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 244 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005年8月16日
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
25
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
20
-
-
-
-
14.5
3
8.5
8.8
65
11
7
340
250
98
马克斯。
-
-
4.0
-
±100
1
100
25
24
-
-
-
-
-
-
540
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= ±20V
V
DS
=25V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
I
D
=20A
V
DS
=20V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=20A
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=0.75
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150 :
)
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30.5
29
马克斯。
1.5
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 20A V
GS
=0V
I
S
= 20A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GJ3303
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