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    GJ3669 参数 Datasheet PDF下载

    GJ3669图片预览
    型号： GJ3669
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 158 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GJ3669的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2005年8月31日
    修改日期： 2005/11 / 28B
    GJ3669
    描述
    包装尺寸
    NPN外延平面牛逼RANSISTOR
    该GJ3669是专为使用在功放的应用，电源开关应用。
    TO-252
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    S
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.40
    6.80
    5.20
    5.50
    6.80
    7.20
    2.40
    3.00
    2.30 REF 。
    0.70
    0.90
    0.60
    0.90
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    R
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.50
    0.70
    2.20
    2.40
    0.45
    0.55
    0
    0.15
    0.90
    1.50
    5.40
    5.80
    0.80
    1.20
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25 : )
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    器件总功耗（T
    A
    =25 : )
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    评级
    80
    80
    5
    2
    1.25
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    :
    :
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ：除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE （ SAT ）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    fT
    COB
    吨
    （导通时间）
    TSTG
    （存储时间）
    tf
    （下降时间）
    分钟。
    80
    80
    5
    -
    -
    -
    -
    70
    40
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    0.15
    0.9
    -
    -
    100
    30
    0.2
    1.0
    0.2
    马克斯。
    -
    -
    -
    1
    1
    0.5
    1.2
    240
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    V
    V
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100uA的，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 80V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =1.5A
    V
    CE
    = 2V ，我
    E
    = 500毫安中，f = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CC
    = 30V ，R
    L
    =30 ,
    I
    C
    =1A,
    I
    B1
    =-I
    B2
    =50mA,
    占空比1 ％
    *脉冲测试：脉冲宽度
    380 S，占空比
    2%
    测试条件
    兆赫
    pF
    us
    us
    us
    分类h及
    FE
    1
    秩
    范围
    O
    70 ~ 140
    Y
    120 ~ 240
    GJ3669
    页次： 1/2

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