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    GJ5706 参数 Datasheet PDF下载

    GJ5706图片预览
    型号： GJ5706
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面硅晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 931 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GJ5706的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GJ5706的Datasheet PDF文件第3页  
    颁发日期： 2005年5月6日
    修订日期：
    GJ5706
    描述
    特点
    NPN外延平面硅晶体管
    该GJ5706设计的高电流开关应用。
    *大电流容量
    *低集电极 - 发射极饱和电压
    *高速开关
    *高允许功耗
    包装尺寸
    TO-252
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    S
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.40
    6.80
    5.20
    5.50
    6.80
    7.20
    2.40
    3.00
    2.30 REF 。
    0.70
    0.90
    0.60
    0.90
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    R
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.50
    0.70
    2.20
    2.40
    0.45
    0.55
    0
    0.15
    0.90
    1.50
    5.40
    5.80
    0.80
    1.20
    绝对最大额定值
    （ TA = 25 ：
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    结温
    储存温度
    总功耗
    除非另有规定编）
    符号
    评级
    V
    CBO
    80
    V
    CES
    80
    V
    首席执行官
    50
    V
    EBO
    6
    I
    C
    5
    I
    CP
    7.5
    I
    B
    1.2
    Tj
    +150
    Ts
    TG
    -55 ~ +150
    P
    D
    0.8
    15
    P
    D
    (T
    C
    =25 : )
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    :
    :
    W
    W
    电气特性
    （评分在TA = 25 ： ）
    符号
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    测试条件
    BV
    CBO
    BV
    CES
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE(sat)1
    *V
    CE(sat)2
    *V
    BE （ SAT ）
    *h
    FE
    fT
    COB
    吨
    （导通时间）
    TSTG
    （存储时间）
    tf
    （下降时间）
    80
    80
    50
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    400
    15
    35
    300
    20
    -
    -
    -
    -
    1
    1
    135
    240
    1.2
    560
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    uA
    uA
    mV
    mV
    V
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    ns
    I
    C
    =为10uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    =为100uA ，R
    BE
    =0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    I
    E
    =为10uA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    l
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    l
    C
    = 2A ，我
    B
    =100mA
    l
    C
    = 2A ，我
    B
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    见指定的测试电路。
    见指定的测试电路。
    见指定的测试电路。
    GJ5706
    页次： 1/3

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