无铅电镀产品
颁发日期： 2006年8月16日
修订日期：
GJ75N03
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
4.5m
75A
描述
该GJ75N03采用先进的设计和工艺，以实现低栅极电荷，低导通电阻和快速
开关性能。
在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如DC / DC转换器。
*低栅极电荷
*简单的驱动要求
*快速切换
特点
包装尺寸
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V
连续漏电流， V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AS
TJ ， TSTG
评级
25
±20
75
62.5
350
96
0.75
400
40
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
mJ
A
:
单脉冲雪崩电流
工作结存储温度范围
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
价值
1.3
110
单位
:
/W
: /W
GJ75N03
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