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GJSD1803 参数 Datasheet PDF下载

GJSD1803图片预览
型号: GJSD1803
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内容描述: NPN外延平面硅晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 247 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2003年10月22日
修改日期: 2005/ 01 / 13B
GJSD1803
描述
特点
NP ñ EP ITAXI铝塑ANAR伊犁河有限公司NT· RANS ISTO ř
该GJSD1803适用于继电器驱动器,高速逆变器,转换器,以及其它的一般的高电流
开关应用。
*低集电极 - 发射极饱和电压。
*高电流和高F
T
* h的优秀的线性度
FE
*快速开关时间
包装尺寸
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
(钽= 25 :除非另有说明, )
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
TC = 25 :
除非另有规定编)
马克斯。
-
-
-
1
1
0.4
1.3
400
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
pF
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
评级
+150
-55 ~ +150
60
50
6
5
8
1
20
单位
:
:
V
V
V
A
A
W
W
电气特性
( TA = 25 :
符号
V
( BR )
CBO
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
h
FE1
h
FE2
fT
TSTG
tf
COB
分钟。
60
50
6
-
-
-
-
70
35
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.22
0.95
-
-
180
50
500
20
40
测试条件
I
C
=为10uA ,我
E
=0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 3A ,我
B
=0.15A
I
C
= 3A ,我
B
=0.15A
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=4A
V
CE
=5V,I
C
=1A
见测试电路
见测试电路
见测试电路
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
GJSD1803
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