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    GL156 参数 Datasheet PDF下载

    GL156图片预览
    型号： GL156
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面高性能晶体管 [NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 292 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GL156的Datasheet PDF文件第2页  
    公司
    GL156
    描述
    特点
    ＆放大器;
    伏V
    首席执行官
    60
    ＆放大器;
    3 AMP
    颁发日期： 2004年12月29日
    修改日期： 2005/ 08 / 02B
    NPN硅平面高性能晶体管
    该GL156是专为通用开关和放大器应用。
    包装尺寸
    连续电流
    ＆放大器;
    低饱和电压
    SOT-223
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.70
    7.30
    2.90
    3.10
    0.02
    0.10
    10 C
    0C
    0.60
    0.80
    0.25
    0.35
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    C
    13吨YP 。
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    总功耗
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE
    (sat)1
    *V
    CE
    (sat)2
    *V
    BE
    （SAT）
    *V
    BE
    （上）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    *h
    FE
    4
    fT
    吨
    花花公子
    COB
    分钟。
    80
    60
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    70
    100
    80
    40
    140
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    0.12
    0.43
    0.9
    0.8
    200
    200
    170
    80
    175
    45
    800
    -
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    D
    评级
    +150
    -55~+150
    80
    60
    5
    3
    6
    2
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    中，除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    测试条件
    -
    V
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    =0
    -
    V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    -
    V
    I
    E
    = 100uA的，我
    C
    =0
    100
    nA
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    100
    nA
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    0.3
    V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =0.1A
    0.6
    V
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A
    1.25
    V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =0.1A
    1.0
    V
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V
    -
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =50mA
    300
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    -
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =1A
    -
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =2A
    -
    兆赫
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 100mA时F = 100MHz的
    -
    ns
    V
    CC
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安，我
    B
    1
    =I
    B
    2
    =50mA
    -
    30
    pF
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    2%
    *脉冲条件下测得的。脉冲宽度300秒，占空比
    辣妹参数数据可应要求提供此设备。
    1/2

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