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    GL158 参数 Datasheet PDF下载

    GL158图片预览
    型号： GL158
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面高电流晶体管 [NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 294 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GL158的Datasheet PDF文件第2页  
    公司
    GL158
    描述
    颁发日期： 2005年9月28日
    修改日期： 2005/12 / 09B
    NPN硅平面高电流晶体管
    该GL158是专为通用开关和放大器应用。
    特点
    ＆放大器;
    安培连续电流高达20安培峰值电流
    6
    包装尺寸
    &Excellent增益特性指定多达10安培
    &Very低饱和电压
    SOT-223
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.70
    7.30
    2.90
    3.10
    0.02
    0.10
    10 C
    0C
    0.60
    0.80
    0.25
    0.35
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    13吨YP 。
    C
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    D
    评级
    +150
    -55~+150
    150
    60
    6
    6
    20
    3
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    *可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上与铜等于4
    平方英寸最小。
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    1
    *V
    CE （ SAT ）
    2
    *V
    CE （ SAT ）
    3
    *V
    CE （ SAT ）
    4
    *V
    BE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    *h
    FE
    4
    fT
    分钟。
    150
    60
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    100
    75
    25
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    -
    -
    130
    除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    测试条件
    -
    V
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    =0
    -
    V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    -
    V
    I
    E
    = 100uA的，我
    C
    =0
    50
    nA
    V
    CB
    = 120V ，我
    E
    =0
    50
    nA
    V
    CES
    =60V
    10
    nA
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    =0
    50
    mV
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    100
    mV
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    170
    mV
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =50mA
    375
    mV
    I
    C
    = 6A ，我
    B
    =300mA
    1.2
    V
    I
    C
    = 6A ，我
    B
    =300mA
    1.15
    V
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =6A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =10mA
    300
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =2A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =5A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =10A
    -
    兆赫
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 100mA时F = 50MHz的
    GL158
    页次： 1/2

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