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GL3019图片预览
型号: GL3019
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 120 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
   
GL3019
描述
包装尺寸
1/1
NP否E PITAX我铝塑ANAR牛逼RANSI STOR
T
他GL3019是专为通用放大器应用和切换需要集电极电流1A 。
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0C
10 C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
140
80
7
1
2
V
V
V
A
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
140
80
7
-
-
-
-
50
90
100
50
15
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.2
1.1
-
-
300
-
-
-
12
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
IC=100uA
IC=30mA
IE=100uA
VCB=90V
VEB=5V
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
VCE = 10V , IC = 0.1毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 150毫安
VCE = 10V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC =千毫安
VCE = 50mV的, IC = 50mA时F = 100MHz的
VCE = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
测试条件
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
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17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
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中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
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