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    GL359 参数 Datasheet PDF下载

    GL359图片预览
    型号： GL359
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高电流晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 330 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GL359的Datasheet PDF文件第2页  
    公司
    GL359
    描述
    颁发日期： 2005年10月27日
    修改日期： 2005/12 / 09B
    PNP硅平面高电流晶体管
    该GL359是专为通用开关和放大器应用。
    特点
    ＆放大器;
    安培连续电流高达10安培峰值电流
    5
    包装尺寸
    &Excellent增益特性指定多达10安培
    &Very低饱和电压
    SOT-223
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.70
    7.30
    2.90
    3.10
    0.02
    0.10
    0°
    10°
    0.60
    0.80
    0.25
    0.35
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    13°
    典型值。
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    D
    评级
    +150
    -55~+150
    -140
    -100
    -6
    -5
    -10
    3
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    *可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上与铜等于4
    平方英寸最小。
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    1
    *V
    CE （ SAT ）
    2
    *V
    CE （ SAT ）
    3
    *V
    CE （ SAT ）
    4
    *V
    BE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    *h
    FE
    4
    *h
    FE
    5
    fT
    分钟。
    -140
    -100
    -6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    100
    50
    30
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -20
    -90
    -160
    -300
    -1.01
    -0.925
    200
    200
    90
    50
    15
    125
    除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    测试条件
    -
    V
    I
    C
    = -100uA ，我
    E
    =0
    -
    V
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    -
    V
    I
    E
    = -100uA ，我
    C
    =0
    -50
    nA
    V
    CB
    = -100V ，我
    E
    =0
    -50
    nA
    V
    CES
    =-100V
    -10
    nA
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    =0
    -50
    mV
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    -115
    mV
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA
    -220
    mV
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA
    -420
    mV
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-400mA
    -1.17
    V
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-400mA
    -1.16
    V
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-4A
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-10mA
    300
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-1A
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-3A
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-4A
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-10A
    -
    兆赫
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -100mA ， F = 50MHz的
    GL359
    页次： 1/2

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