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GL5551 参数 Datasheet PDF下载

GL5551图片预览
型号: GL5551
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 177 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GL5551的Datasheet PDF文件第2页  
GL5551
描述
包装尺寸
1/2
NP否E PITAX我铝塑ANAR牛逼RANSI STO
R
T
他GL5551是设计用于一般用途的应用要求较高的击穿电压。
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10 C
0C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
C
13吨YP 。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
180
160
6
600
1.5
V
V
V
mA
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.15
0.2
1
1
-
400
-
300
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
IC = 100uA的, IE = 0
IC =为1.0mA , IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 120V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 50毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
测试条件
分类的hFE的
范围
A
80 - 200
N
100 - 250
C
160 - 400