GL9563 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GL9563
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 261 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年11月3日

修订日期：

GL9563

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-40V

40m

-6A

该GL9563提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

采用SOT - 223封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如DC / DC转换器。

*简单的驱动要求

*低导通电阻

*快速开关特性

描述

特点

包装尺寸

SOT-223

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.70

7.30

2.90

3.10

0.02

0.10

0°

10°

0.60

0.80

0.25

0.35

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

13°

典型值。

2.30 REF 。

6.30

6.70

6.30

6.70

3.30

3.70

3.30

3.70

1.40

1.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

-40

±25

-6

-4.8

-30

2.7

0.02

-55 ~ +150

单位

W/ :

连续漏电流

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

单位

GL9563

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