GLA2N70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GLA2N70
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 304 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年9月14日

修订日期：

体中A2 N 7 0

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

675V

0.2A

描述

该GLA2N70提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

*动态的dv / dt额定值

*简单的驱动要求

*额定重复性雪崩

*快速切换

特点

包装尺寸

SOT-223

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.70

7.30

2.90

3.10

0.02

0.10

10 C

0.60

0.80

0.25

0.35

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

13吨YP 。

2.30 REF 。

6.30

6.70

6.30

3.30

3.70

3.30

3.70

1.40

1.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@5V

连续漏电流， V

@5V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

675

f 30

0.2

0.13

0.5

1.13

0.01

0.5

-55 ~ +150

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

110

单位

GLA2N70

页： 1/5

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