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GLBCP69 参数 Datasheet PDF下载

GLBCP69图片预览
型号: GLBCP69
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 245 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GLBCP69的Datasheet PDF文件第2页  
公司
GLBCP69
描述
特点
&放大器;
首席执行官
: -20V
V
包装尺寸
SOT-223
&I
C
:1A
P NP伊犁河有限公司ñ EP ITAX我AL牛逼RANS ISTO ř
该GLBCP69是专为低电压和中等功率应用。
颁发日期: 2005/07/12
修订日期:
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10 C
0C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
C
13吨YP 。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-65~+150
-25
-20
-5
-1
1.5
单位
V
V
V
A
W
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
-
50
85
60
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
中,除非另有说明)
马克斯。
单位
测试条件
-
V
I
C
= -100uA ,我
E
=0
-
V
I
C
= -1mA ,我
B
=0
-
V
I
E
= -10uA ,我
C
=0
-10
uA
V
CB
= -25V ,我
E
=0
-10
uA
V
EB
= -5V ,我
C
=0
-500
mV
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
-1.0
V
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA
375
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
-
兆赫
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
1/2