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GLBCX53 参数 Datasheet PDF下载

GLBCX53图片预览
型号: GLBCX53
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 213 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GLBCX53的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2005年8月18日
修改日期: 2005/11 / 21B
GLBCX53
描述
PNPSILICONEPI TA XIALTRANSISTOR
该GLBCX53被设计用于音频放大器的功率和中功率通用的驱动器级
放大器阳离子。
特点
&放大器;
集电极 - 发射极电压: V
首席执行官
=-80V
包装尺寸
&Complementary到GLBCP56
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10°
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13°
典型值。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
存储温度范围
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
总功耗
符号
评级
单位
Tj
Ts
TG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
+150
-65 ~ +150
-100
-80
-5
1
1.5
:
:
V
V
V
A
W
电气特性
( TA = 25 : )
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
BE
(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
分钟。
-100
-80
-5
-
-
-
-
63
63
40
100
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-500
-1000
-
250
-
-
兆赫
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V,
V
CE
= -2V ,我
C
=-5mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
B
100 - 250
380 S,占空比2 %
测试条件
分类h及
FE
2
范围
A
63 - 160
GLBCX53
1/2