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GM161 参数 Datasheet PDF下载

GM161图片预览
型号: GM161
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 388 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
公司
GM161
N沟道增强型功率MOSFET
颁发日期: 2004年11月3日
修改日期: 2005/ 07 / 21B
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
50m
5.3A
该GM161采用先进的加工技术,以实现尽可能低的导通电阻,极
效率和成本效益的设备。
描述
特点
&放大器;
能够2.5V栅极驱动!
&Lower的导通电阻
&Reliable和坚固
应用
&放大器;
笔记本电脑
&Cellular和手提电话
&On车载电源
&Li离子电池系统
包装尺寸
SOT-89
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS@4.5V
连续漏电流, V
GS@4.5V
漏电流脉冲
功耗
工作结存储温度范围
线性降额因子
1,2
3
3
符号
V
DSS
V
GS
评级
20
f 12
5.3
4.3
10
2
-55 ~ +150
0.01
单位
V
V
A
A
A
W
W/
I
ð @ TA = 25 :
I
ð @ TA = 70 :
I
DM
P
ð @ TA = 25 :
TJ , TSTG
热数据
参数
3
符号
马克斯。
评级
90
单位
/W
热阻结到环境
Rthj - AMB
1/4