GM2301 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GM2301
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 235 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006年1月20日

修订日期：

GM2301

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

130m

-2.6A

该GM2301提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

该GM2301普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用于低

电压应用，如DC / DC转换器。

描述

特点

*简单的驱动要求

*表面贴装器件

包装尺寸

SOT-89

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.4

4.6

4.05

4.25

1.50

1.70

1.30

1.50

2.40

2.60

0.89

1.20

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

3.00参考。

1.50 REF 。

0.40

0.52

1.40

1.60

0.35

0.41

5 ° TYP 。

0.70 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

功耗

线性降额因子

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

工作结存储温度范围

评级

-20

±12

-2.6

-2.1

-10

1.5

0.012

-55 ~ +150

价值

83.3

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

GM2301

页次： 1/4

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