GM3055 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GM3055
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 1046 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

GM3055

描述

1/6

N沟道增强型功率MOSFET

采用SOT -89封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如DC / DC转换器。

包装尺寸

SOT-89

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.4

4.6

4.05

4.25

1.50

1.70

1.30

1.50

2.40

2.60

0.89

1.20

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

3.00参考。

1.50 REF 。

0.40

0.52

1.40

1.60

0.35

0.41

5 Q TYP 。

0.70 REF 。

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

工作结温范围

存储温度范围

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

符号

TSTG

@TC=25

@TC=100

@TC=25

评级

-55 ~+150

-55 ~ +150

±20

单位

总功耗

热数据

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

单位

源 - 漏极二极管

符号

参数

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

正向电压上

测试条件

=0V, V

=1.3V

Tj=25

,Is=15A,V

=0V

分钟。

典型值。

马克斯。

1.3

单位

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