GM5401
描述
包装尺寸
1/2
PNP外延平面晶体管
T
他GM5401是设计用于一般用途的应用要求较高的击穿电压。
SOT-89
GM
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10 C
0C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
C
13吨YP 。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-160
-150
-5
-600
1
V
V
V
mA
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-160
-150
-5
-
-
-
-
-
-
50
60
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-200
-500
-1
-1
-
240
-
-
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -120V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -50mA , IB = -5mA
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -50mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -50mA
VCE = -10V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
测试条件