GM5551
描述
1/2
NPN外延平面晶体管
T
他GM5551是专为一般用途的应用要求较高的击穿电压。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
180
160
6.0
600
1.2
V
V
V
mA
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 ：
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
150
200
1
1
-
250
-
300
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=120V
VEB=4V
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IE = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
测试条件
GTM [ GTM CORPORATION ]
