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GMBT1815 参数 Datasheet PDF下载

GMBT1815图片预览
型号: GMBT1815
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 202 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBT1815的Datasheet PDF文件第2页  
通用汽车BT1815
描述
包装尺寸
1/2
NP否E PITAX我AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GMBT1815是专为AF放大器使用驱动级和通用应用。
REF
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55~+150
60
50
5
150
250
单位
V
V
V
mA
mW
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
120
25
80
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1.0
700
-
-
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=5V
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 6V , IC = 2毫安
VCE = 6V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 1mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
测试条件
分类
范围
hFE1
C4Y
120 - 240
C4G
200 - 400
C4B
350 - 700