公司
克间BT 1 9 5
描述
特点
＆放大器;
伏V
首席执行官
-60
该GMBT195是专为中等功率的放大器应用。
颁发日期： 2006/06/08
修订日期：
PNP硅平面中功率晶体管
包装尺寸
&-1安培连续电流
&Complementary到GMBT194
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
符号
评级
单位
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
(Note1)
注1.Device安装在FR - 4 = 1.6 * 1.6 * 0.06in
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
+150
-55~+150
-80
-60
-5
-1
-2
500
:
:
V
V
V
A
A
mW
电气特性
（ TA = 25 ：
符号
BV
CBO
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
1
*V
CE （ SAT ）
2
*V
BE （ SAT ）
*V
BE（上）
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
fT
COB
分钟。
-80
-60
-5
-
-
-
-
-
-
-
100
100
80
15
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
除非另有说明）
马克斯。
单位
测试条件
-
V
I
C
= -100uA ，我
E
=0
-
V
I
C
= -10mA ，我
B
=0
-
V
I
E
= -100uA ，我
C
=0
-100
nA
V
CB
= -60V ，我
E
=0
-100
nA
V
CES
=-60V
-100
nA
V
EB
= -4V ，我
C
=0
-0.3
V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
-0.6
V
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
-1.2
V
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
-1.0
V
V
CE
= -5V ，我
C
=-1A
-
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
300
V
CE
= -5V ，我
C
=-500mA
-
V
CE
= -5V ，我
C
=-1A
-
V
CE
= -5V ，我
C
=-2A
-
兆赫
V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA ， F = 100MHz的
10
pF
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度= 300秒，占空比2 ％
GMBT195
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