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GMBT2411 参数 Datasheet PDF下载

GMBT2411图片预览
型号: GMBT2411
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 480 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBT2411的Datasheet PDF文件第2页  
公司
克间BT 2 4 11
描述
特点
&放大器;
=500mA
I
CMAX 。
该GMBT2411是专为中等功率的放大器应用。
颁发日期: 2006年9月14日
修订日期:
NPN硅平面中功率晶体管
包装尺寸
&Low V
CE (SAT) 。
最适用于低电压操作。
&Complementary到GMBT1036
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
符号
评级
单位
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
+150
-55~+150
40
32
5
500
225
:
:
V
V
V
mA
mW
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*h
FE
fT
COB
分钟。
40
32
5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
250
6
除非另有说明)
马克斯。
单位
测试条件
-
V
I
C
= 100uA的,我
E
=0
-
V
I
C
= 1mA时,我
B
=0
-
V
I
E
= 100uA的,我
C
=0
1
uA
V
CB
= 20V ,我
E
=0
1
uA
V
EB
= 4V ,我
C
=0
400
mV
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
390
V
CE
= 3V ,我
C
=100mA
-
兆赫
V
CE
= 5V ,我
E
= -20mA , F = 100MHz的
-
pF
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度= 300秒,占空比2 %
分类h及
FE
范围
CP
82 - 180
CQ
120 - 270
CR
180 - 390
GMBT2411
页次: 1/2