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GMBT8550 参数 Datasheet PDF下载

GMBT8550图片预览
型号: GMBT8550
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 224 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBT8550的Datasheet PDF文件第2页  
通用汽车BT8550
描述
包装尺寸
1/2
P N P·E PI TA XI一个L T RA ñ SI STO ř
该GMBT8550是专为通用放大器应用。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-25
-20
-5
-700
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
-
100
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-100
-500
-1
500
-
10
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
nA
mV
V
IC=-10uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-20V
VEB=-6V
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -150mA
VCE = - 1V , IC = -150mA
VCE = -10V , IC = -20mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
测试条件
分类的hFE的
的hFE
B9C
100 - 200
B9D
150 - 300
B9E
250 - 500