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GMBT9014 参数 Datasheet PDF下载

GMBT9014图片预览
型号: GMBT9014
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内容描述: PNP晶体管外延 [PNP EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 250 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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通用汽车BT9014
描述
包装尺寸
1/3
N P N区E PI TA XI一个L T RA ñ SI STO ř
该GMBT9014是专为通用放大器应用。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
50
45
5
100
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
50
45
5
-
-
-
-
0.58
100
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.14
0.84
0.63
280
270
2.20
马克斯。
-
-
-
50
50
0.3
1
0.7
1000
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
测试条件
分类的hFE的
的hFE
B
100 - 300
C
200-600
D
400-1000