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    GMBTA13 参数 Datasheet PDF下载

    GMBTA13图片预览
    型号： GMBTA13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 232 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GMBTA13的Datasheet PDF文件第2页  
    公司
    克间BTA1 3
    描述
    特点
    NP否E PITAX我AL伊犁河有限公司NT· RANSI STOR
    颁发日期： 2003年7月15日
    修改日期： 2006/ 05 / 09B
    该GMBTA13是专为达林顿晶体管放大器。
    *高直流电流增益
    *集电极 - 发射极电压V
    CES
    =30V
    包装尺寸
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.70
    3.10
    2.40
    2.80
    1.40
    1.60
    0.35
    0.50
    0
    0.10
    0.45
    0.55
    REF 。
    G
    H
    K
    J
    L
    M
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.90 REF 。
    1.00
    1.30
    0.10
    0.20
    0.40
    -
    0.85
    1.15
    0°
    10°
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    热阻结到环境
    热阻结到外壳
    集电极电流
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    CES
    V
    EBO
    R
    R
    JA
    JC
    评级
    +150
    -55 ~ +150
    30
    30
    10
    556
    170
    500
    225
    单位
    :
    :
    V
    V
    V
    : /W
    : /W
    mA
    mW
    I
    C
    P
    D
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    BV
    CES
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *hFE1
    *hFE2
    fT
    COB
    分钟。
    30
    30
    10
    -
    -
    -
    -
    5k
    10k
    125
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    中，除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    测试条件
    -
    V
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    =0
    -
    V
    I
    C
    =为100uA ，V
    BE
    =0
    -
    V
    I
    E
    =为10uA ，我
    C
    =0
    100
    nA
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    = 0
    100
    nA
    V
    EB
    = 10V ， IC = 0
    1.5
    V
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA
    2.0
    V
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    -
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    -
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    -
    兆赫
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安中，f = 100MHz的
    6
    pF
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    脉冲测试：脉冲宽度
    380us ，占空比
    2%
    1/2

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