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GMBTA42 参数 Datasheet PDF下载

GMBTA42图片预览
型号: GMBTA42
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 194 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBTA42的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2003年11月27日
修改日期: 2005/ 01 / 21B
克间B TA 4 2
描述
包装尺寸
NP ñ EP ITAXIAL PL ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GMBTA42是专为高压晶体管。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55~+150
300
300
6
500
350
单位
V
V
V
mA
mW
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
兆赫
pF
马克斯。
-
-
-
100
100
500
900
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 200V , IE = 0
VEB = 6V , IC = 0
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 20mA时, IB = 2毫安
VCE = 10V , IC = 1毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 30毫安
VCE = 20V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 20V , F = 1MHz的
测试条件
1/2