GMBTA56 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GMBTA56
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内容描述：	PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 223 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

克间B TA 5 6

包装尺寸

该GMBTA56是放大器应用。

1/2

PNP硅晶体管

描述

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

10 C

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

符号

TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

评级

+150

-55 ~ +150

-80

-4

-500

225

单位

特征

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

HFE1

HFE2

在TA = 25 ：

分钟。

-80

-4

100

兆赫

典型值。

马克斯。

-100

-250

-1.2

单位

IC = -100uA ， IE = 0

IC = -1mA ， IB = 0

IE = -100uA ， IC = 0

VCB = -80V ， IE = 0

VCE=-60V

IC = -100mA ， IB = -10mA

VCE = - 1V ， IC = -100mA

VCE = - 1V ， IC = -10mA

VCE = - 1V ， IC = -100mA

VCE = -2V ， IC = -10mA ， F = 1MHz的

测试条件

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