颁发日期： 2003年11月27日
修改日期： 2004/11 / 29B
克间P S 2的A4
描述
特点
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
该GMPSA42设计用于应用需要高电压。
*高收集发射极击穿电压
*低收集发射极饱和电压
*为了配合GMPSA92
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
（ TA = 25 ：
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流（DC ）
结温
存储温度范围
总功耗
中，除非另有规定）
评级
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Tj
Ts
TG
P
D
300
300
6
500
+150
-55 ~ +150
625
V
V
V
mA
mW
电气特性
（钽= 25 ：除非另有说明， ）
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
分钟。
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
350
900
-
-
-
-
3
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=260V
VEB=6V
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IC = 20mA时， IB = 2毫安
VCE = 10V ， IC = 1毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安
VCE = 10V ， IC = 30毫安
VCB = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 20V ， F = 1MHz时， IE = 0
测试条件
等级分类
秩
NS
N
hFE1
>80
>25
hFE2
>120
>40
hFE3
>120
>40
VCE （ SAT ）
<200mV
<350mV
GMPSA42
1/2
GTM [ GTM CORPORATION ]
