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GMSD1664 参数 Datasheet PDF下载

GMSD1664图片预览
型号: GMSD1664
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 191 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMSD1664的Datasheet PDF文件第2页  
公司
GMSD1664
描述
包装尺寸
SOT-89
该GMSD1664是专为通用放大器应用。
颁发日期: 2005年3月4日
修订日期:
NP否E PITAX IAL PL ANAR牛逼RANS ISTO ř
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
单位
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流在TA = 25 :
在Ta总功耗= 25 :
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
40
32
5
1
500
V
V
V
A
mW
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
(SAT)
h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
40
32
5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.15
-
150
9
马克斯。
-
-
-
500
500
0.4
390
-
-
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
I
C
=50uA
I
C
=1mA
I
E
=50uA
V
CE
=20V
V
EB
=4V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 3V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
测试条件
分类h及
FE
h
FE
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
1/2