GP9960 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GP9960
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 333 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/08/06

修订日期：

GP9960

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

40V

25m

描述

该GP9960为设计者提供了快速开关，坚固耐用的设备的设计，超薄的最佳组合

低导通电阻和成本效益。

*低导通电阻

*开关速度快

特点

包装尺寸

压力表飞机

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.381

2.921

0.356

1.143

0.762

0.203

0.5334

4.953

0.559

0.508

1.778

1.143

0.356

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.203

0.279

9.017

10.16

6.096

7.112

7.620

8.255

2.540 BSC

10.92

2.921

3.810

飞机座位

区间Z - z

DIP-8

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

f 20

5.6

0.016

-55 ~ +150

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

62.5

单位

1/4

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