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GS421SD
描述
包装尺寸
颁发日期： 2005/12/20
修订日期：
表面贴装， SCHOTTKYBARRIERDIODE
V Ø LT A G E 4 0 V ，C ü R R简T 0的。 1
该GS421SD是专为低功耗整改。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
结温
储存温度
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
峰值正向浪涌电流在8.3mSec单一正弦半波
码头（注1 ）的典型结电容
最大正向平均整流电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FSM
C
J
Io
PD
评级
+125
-40 ~ +125
40
28
40
1.0
6.0
0.1
225
单位
:
:
V
V
V
A
pF
A
mW
电气特性
（在T
A
= 25 ：除非另有说明）
参数
反向击穿电压
最大正向电压
最大平均反向电流
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
分钟。
40
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
340
550
30
单位
V
mV
uA
测试条件
IR = 100 A
IF1=10mA
IF2=100mA
VR=10V
注：1.测得1.0 MHz和应用10伏的反向电压。
2.静电敏感产品处理要求。
GS421SD
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