颁发日期： 2004年12月16日
修订日期：
克S- A1625
描述
特点
＆放大器;
电压
高
＆放大器;
高
PNP硅晶体管
该GSA1625被设计为通用放大器和高速开关应用。
包装尺寸
D
高速开关
＆放大器;
低集电极饱和电压
E
S1
TO-92
A
性S E为T G中
飞机
b1
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
总功耗
* PW为2ms ，占空比50 ％
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-400
-400
-7
-500
-1000
750
V
V
V
mA
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*h
FE
fT
COB
在TA = 25 ：
分钟。
-400
-400
-7
-
-
-
-
40
20
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
80
40
17
马克斯。
-
-
-
-10
-10
-0.5
-1.2
200
-
20
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
A
V
V
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-100uA
VCB = -400V ， IE = 0
VEB = -5V ， IC = 0
IC = -100mA ， IB = -10mA
IC = -100mA ， IB = -10mA
VCE = -5V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， IE = -10mA
VCB = -10V ， IE = 0 ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度380 S，占空比
L
60 - 120
K
100 -200
2%
测试条件
分类h及
FE
秩
范围
M
40 - 80
1/2
GTM [ GTM CORPORATION ]
