的s B 11 3 2
该GSB1132是一个外延
1/3
P N P·E PI TA XI A L SI LI CO NT· RA ñ SI STO ř
描述
平面型PNP硅晶体管。
(I
C
/I
B
= -500mA / -50毫安）
特点
低V
CE （ SAT ）
. V
CE （ SAT ）
= -0.2V （典型值）。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
1.50
1.30
2.40
0.89
4.25
1.70
1.50
2.60
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
1.40
0.35
0.52
1.60
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
单位
绝对最大额定值
（钽= 25 ：除非另有说明， ）
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
(note1)
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
评级
+150
-55 ~ +150
-40
-32
-5
-1
-2
0.5
2
V
V
V
A
A
W
W
集电极耗散功率（注2 ）
P
D
注1 ：单脉冲， PW = 100毫秒
注2 ：当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE（
SAT ）
的hFE
fT
分钟。
-40
-32
-5
-
-
-
82
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.2
-
150
20
电气特性
（钽= 25 ：除非另有说明， ）
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.5
390
-
30
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
uA
V
IC=-50uA
IC=-1mA
IE=-50uA
VCB=-20V
VEB=-4V
IC = -500mA ， IB = -50mA （注）
VCE = -3V ， IC = -100mA
VCE = -5V ， IE = -50mA ， F = 30MHz的
VCE = -10V ， IE = 0A ， F = 1MHz的
测试条件
COB
-
注意：使用脉冲电流测量。
分类的hFE的
秩
范围
P
Q
120 - 270
R
180 - 390
82 - 180
GTM [ GTM CORPORATION ]
