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GSB772S 参数 Datasheet PDF下载

GSB772S图片预览
型号: GSB772S
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 127 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GSB772S的Datasheet PDF文件第2页  
公司
GSB772S
描述
包装尺寸
D
E
S1
颁发日期: 2004年9月13日
修改日期: 2004/11 / 29B
PNPEPI TA XIALPLANARTRANSIS至R
GSB772S被设计用于使用在0.75W放大器,电压调节器,DC-DC转换器和驱动器的输出级。
TO-92
A
性S E为T G中
飞机
b1
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压在TA = 25 :
集电极到发射极电压在TA = 25 :
发射器基极电压在TA = 25 :
集电极电流在TA = 25 :
在Ta总功耗= 25 :
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-40
-30
-5.0
-3.0
750
V
V
V
A
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.3
-1
-
160
80
55
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2
-
500
-
-
兆赫
Pf
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
IC=-100uA
IC=-10mA
IE=-10uA
VCB=-30V
VEB=-3V
IC = -2A , IB = -0.2A
IC = -2A , IB = -0.2A
VCE = -2V , IC = -20mA
VCE = -2V , IC = -1A
VCE = -20V , IC = -20mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380us ,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
2
范围
Q
100-200
P
160-320
E
250-500
1/2