无铅电镀产品
颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
GSC4409
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
7.5m
-15A
该GSC4409采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和超低栅极电荷。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
用作负载开关或PWM应用。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0°
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8°
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
±20
-15
-12.8
-80
2.5
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
50
单位
: /W
GSC4409
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