GSC8107E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GSC8107E
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 281 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006/11/02

修订日期：

GSC8107E

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-30V

7.0m

-13A

该GSC8107E提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用

对于低电压应用，如DC / DC转换器。

*简单的驱动要求

*低导通电阻

*快速开关特性

描述

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

4.80

3.80

0°

0.40

0.19

6.20

5.00

4.00

8°

0.90

0.25

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.25

0.35

0.49

1.35

1.75

0.375 REF 。

45°

1.27 TYP 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

-30

±20

-13

-10

-52

2.5

0.02

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj - AMB

价值

单位

: /W

GSC8107E

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