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    GSD2656 参数 Datasheet PDF下载

    GSD2656图片预览
    型号： GSD2656
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 137 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GSD2656的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2006/01/18
    修订日期：
    GSD2656
    描述
    包装尺寸
    NPN外延牛逼RANSISTOR
    该GSD2656是专为通用放大器应用。
    REF 。
    A
    A1
    A2
    D
    E
    HE
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.80
    1.10
    0
    0.10
    0.80
    1.00
    1.80
    2.20
    1.15
    1.35
    1.80
    2.40
    REF 。
    L1
    L
    b
    c
    e
    Q1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.42参考。
    0.15
    0.35
    0.25
    0.40
    0.10
    0.25
    0.65参考。
    0.15 BSC 。
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    评级
    +150
    -55~+150
    30
    30
    6
    1
    225
    单位
    :
    :
    V
    V
    V
    A
    mW
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    *h
    FE
    *英尺
    COB
    分钟。
    30
    30
    6
    -
    -
    -
    120
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    400
    5
    中，除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    -
    -
    -
    100
    100
    350
    500
    -
    -
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    nA
    nA
    mV
    I
    C
    =为10uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =为10uA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    =0
    测试条件
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =25mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    E
    = -100mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    *脉冲测试
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    EUC
    120 ~ 200
    EUD
    160 ~ 300
    EUE
    250 ~ 500
    GSD2656
    页次： 1/2

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