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    GSD669A 参数 Datasheet PDF下载

    GSD669A图片预览
    型号： GSD669A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 227 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GSD669A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GSD669A的Datasheet PDF文件第3页  
    颁发日期： 2003/10/23
    修改日期： 2004/11 / 29B
    GSD669A
    描述
    特点
    NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
    T
    他GSD669A是专为高频功率放大器。
    ·低频功率放大器互补配对GSB649A
    包装尺寸
    D
    E
    S1
    TO-92
    A
    b1
    性S E为T G中
    飞机
    REF 。
    L
    e1
    e
    b
    C
    A
    S
    1
    b
    b
    1
    C
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.45
    4.7
    1.02
    -
    0.36
    0.51
    0.36
    0.76
    0.36
    0.51
    REF 。
    D
    E
    L
    e1
    e
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.44
    4.7
    3.30
    3.81
    12.70
    -
    1.150 1.390
    2.42
    2.66
    绝对最大额定值
    （大
    = 25 ：除非另有说明， ）
    参数
    评级
    单位
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收集电流（DC ）
    收集电流* （脉冲）
    结温
    存储温度范围
    总功率耗散（ TC = 25 ：
    )
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    Tj
    Ts
    TG
    P
    D
    180
    160
    5
    1.5
    3
    +150
    -55 ~ +150
    1
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性
    （大
    = 25 ：除非另有说明， ）
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    ICBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *hFE1
    *hFE2
    fT
    COB
    分钟。
    180
    160
    5
    -
    -
    -
    60
    30
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    140
    14
    马克斯。
    -
    -
    -
    10
    1
    1.5
    200
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    uA
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，R
    BE
    =
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 160V ，我
    E
    =0
    l
    C
    =600mA,I
    B
    =50mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =150mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =150mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =500mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =150mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    *
    脉冲测试：脉冲宽度380us ，占空比
    2%
    兆赫
    pF
    分类h及
    FE1
    秩
    范围
    B
    60-120
    C
    100-200
    GSD669A
    页次： 1/3

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