颁发日期： 2004年12月8日
修订日期：
GSM BT 1015
描述
P NP ê PITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
T
他GSMBT1015设计用于AF放大器以及通用放大的驱动器级的使用。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55~+150
-50
-50
-5
-150
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*h
FE
1
*h
FE
2
fT
COB
在TA = 25 ：
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
-
120
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-300
-1.1
700
-
-
7
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-50V
VEB=-5V
IC = -100mA ， IB = -10mA
IC = -100mA ， IB = -10mA
VCE = -6V ， IC = -2mA
VCE = -6V ， IC = -150mA
VCE = -10V ， IC = -1mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0
*脉冲测试：脉冲宽度380us ，占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
1
秩
范围
A4Y
120-140
A4G
200-400
A4B
350-700
1/2
GTM [ GTM CORPORATION ]
